SK 海力士辟谣收购英特尔俄亥俄工厂,但美本土布局引发关注 - 果核剥壳

7 月 22 日消息,针对今日早些时候韩媒《中央日报》关于“SK 海力士正洽谈收购英特尔美国俄亥俄州晶圆厂”的报道,SK 海力士官方迅速做出回应,明确表示“没有收购计划”,正式否认了这一传闻。英特尔方面虽未直接评论商业猜测,但强调俄亥俄项目的建设仍在持续推进中。

SK 海力士辟谣收购英特尔俄亥俄工厂,但美本土布局引发关注

传闻与辟谣

此前,《中央日报》援引匿名知情人士消息称,SK 海力士正在评估收购英特尔位于俄亥俄州的“Ohio One”半导体园区,意图在未来五年内利用该基地进行存储芯片的前端制造。报道称,若此项交易达成,将不仅助力 SK 海力士扩大美国本土生产版图,也能为英特尔急需资金的代工业务“输血”。然而,随着双方公司的否认,这一并购推测暂告一段落。

英特尔“Ohio One”项目:宏伟蓝图与延期现实

此次传闻的主角——英特尔俄亥俄州半导体项目(Ohio One),位于新奥尔巴尼,占地约 1000 英亩(约 405 万平方米),是英特尔近年来最大规模的制造投资之一。根据规划,该园区未来最多可容纳 8 座晶圆厂。

英特尔于 2022 年破土动工,原计划一期投资超过 280 亿美元(约合 1897.86 亿元人民币),在 2025 年前后完成两座先进晶圆厂建设并创造 3000 个岗位。

然而,受制于晶圆代工业务推进不及预期及成本控制压力,英特尔已多次调整投资节奏。今年 2 月,英特尔宣布项目延期,首座晶圆厂预计将推迟至 2030 年前后完工,投产时间则可能在 2030 年至 2031 年之间。尽管如此,该项目作为美国《芯片与科学法案》的重点扶持对象,已获得最高约 78.65 亿美元(约合 533.1 亿元人民币)的直接资金支持。

英特尔的困境与 SK 海力士的美国棋局

市场分析认为,收购传闻的流出并非空穴来风,折射出当前半导体行业的两大趋势:英特尔代工业务的转型压力,以及存储巨头在美国布局的迫切性。

一方面,英特尔近年来在“IDM 2.0”战略下遭遇挑战,先进制程研发、良率提升及外部客户拓展均不顺利,不得不采取裁员和削减开支等措施自救。

另一方面,SK 海力士虽否认收购晶圆厂,但并未停止在美国的扩张步伐。目前,该公司正在印第安纳州建设高带宽内存(HBM)封装基地,投资额约 38.7 亿美元(约合 262.31 亿元人民币),预计 2028 年投入运营。此外,三星电子也在德州泰勒积极建设先进晶圆厂。

产业背景:美国制造政策推动

美国近年来极力推动半导体产业链本土化,致力于完善从设计、制造到封装的全链条。美国政府已多次向三星、SK 海力士等韩企施压,要求其扩大在美投资。在此大背景下,SK 海力士等存储巨头的每一步动作都备受瞩目,即便此次收购传闻被证伪,其在美制造战略的下一步走向依然值得市场持续关注。

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